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中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的张凯、通信湖南大学的潘安练以及深圳大学的张晗等人联合报道了一种在绝缘硅上基质上直接生长大规模高结晶性黑磷薄膜的方法。该研究认为，或成化突多层黑磷中发现的压电性可以加深对单元素材料压电机制的理解和研究。

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基于此，商业中国科学院北京纳米能源与系统研究所潘曹峰（通讯作者）等人在实验中揭示了多层黑磷中沿扶手椅方向的面内压电性。磷烯的理论计算虽然解释了磷原子中压电极化的起源，破口但相邻原子层的相反方向可以引起多层二维材料压电性的消失，破口而这种效应在黑磷晶格中则受到弹簧形空间结构的限制。

电力瑞士洛桑联邦理工学院的MichaelGrätzel和华中科技大学的王鸣魁等人揭示了黑磷量子点的孤对电子能够诱导CsPbI2Br前驱体溶液分子和磷原子之间产生强大的键合作用。

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